,
Наш опрос
Любимая ОС для моб.устройства?
Android
Symbian
Apple iOS
Bada
Windows Mobile
Другая
«    Июль 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 



Samsung начала массовое производство чипов мобильной памяти DDR3 объемом 4 Гбит
  • 0

Компания Samsung Electronics объявила о старте массового производства 4-Гбит чипов памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу.

Samsung начала массовое производство чипов мобильной памяти DDR3 объемом 4 Гбит
Чипы памяти Samsung

По словам производителя, выпуск DRAM-памяти, каждая ячейка которой состоит из связанных транзистора и конденсатора, намного сложнее производства флэш-памяти типа NAND с одним транзистором, поэтому традиционно объемы DRAM-чипов заметно уступают объемам чипов флеш-памяти. Чтобы справиться с этой сложной задачей, Samsung использует технологии двойного шаблона и атомно-слоевого осаждения.

Это не только позволило компании выпускать чипы памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу, используя существующую иммерсионную ArF-литографию (литография с использованием эксимерных лазеров на фториде аргона, работающих в диапазоне жесткого ультрафиолета), но и сделает возможным производство следующего поколения DRAM по техпроцессу класса 10 нм в будущем. Показатели энергоэффективности чипов на 25% опережают характеристики мобильной памяти, изготовленной по 25-нм техпроцессу.

источник: ferra.ru



К этому материалу добавили следующие метки: . По этим меткам материал может быть найден у нас на сайте. Также по правилам хорошего тона, вы можете поблагодарить человека, который выложил данный материал, при условии, что он вам, конечно, понравился (материал). Для этого вы можете оставить комментарий. Внимание! Не используйте одни только смайлики в качестве выражения эмоций. Пишите достойный текст. За нарушение правил вы можете получить временную блокировку на сайте. Теперь вы можете посмотреть материалы, которые по своим особенностям схожи с данной новостью.
Высказать мнение